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CS1N60 1N60 PARA-92 N-Canal de Potência MOSFET de 0,8 A 600V FET Tipo:Canal N-Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide) Dreno para Fonte de Tensão (Vdss):600V Corrente Contínua de Dreno (Id) @ 25°C:300mA (Tc) a Unidade de Tensão (Max Rds No Mínimo Rds ligado):10 Vgs(th) (Max) @ Id:4V @ 250µA Portão de Carga (Qg) (Max) @ Vgs:6.2 nC @ 10V Entrada Capacitância (Ciss) (Max.) @ Vds:170pF @ 25V Vgs (Max):±30V FET Recurso:- Dissipação de Potência (Máx.): 1W (Ta), 3W (Tc) Rds No (Max) @ Id Vgs:11.5 Ohms @ 150mA, 10V Temperatura de Funcionamento:-55°C ~ 150°C (TJ) Tipo Montagem-Orifício
Origem | China |
Tipo De Pacote | Montagem De Superfície |
Número Do Modelo | 1N60 |
Tipo | Transistor De Efeito De Campo |
Nome Da Marca | KUIBIAOCHI |
Condição | Novo |
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